1. 國(guó)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀
普通LED的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有：

(1)IEC60747-5 Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits(1992)
IEC60747-5半導(dǎo)體分立器件及集成電路

(2)IEC60747-5-2 Discrete semiconductor devices and integrated circuits-Part 5-2:Optoelectronic devices-Essential ratings and characteristics (1997-09)
IEC60747-5-2分立半導(dǎo)體器件及集成電路零部件5-2：光電子器件—分類(lèi)特征及要素(1997-09)

(3)IEC60747-5-3 Discrete semiconductor devices and integrated circuits-Part 5-3 :Optoelectronic devices-Measuring methods(1997-08)
IEC60747-5-3分立半導(dǎo)體器件及集成電路零部件 5-3：光電子器件—測(cè)試方法(1997-08)

(4)IEC60747-12-3 Semiconductor devices－part12-3: optoelectronic devices –Blank detail specification for light-emitting diodes –Display application(1998-02)
IEC60747-12-3半導(dǎo)體分立器件12-3：光電子器件—顯示用發(fā)光二極管空白詳細(xì)標(biāo)準(zhǔn)（1998-02）

(5)CIE127-1997 Measurement of LEDs(1997)
CIE127-1997 LED測(cè)試方法（1997）

(6) CIE/ISO standards on LED intensity measurements
CIE/ISO LED強(qiáng)度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

國(guó)際照明委員會(huì)（ CIE）1997年發(fā)表 CIE127-1997 LED測(cè)試方法 ， 把 LED 強(qiáng)度測(cè)試確定為平均強(qiáng)度的概念，并且規(guī)定了統(tǒng)一的測(cè)試結(jié)構(gòu)和探測(cè)器大小，這樣就為 LED 準(zhǔn)確測(cè)試比對(duì)奠定了基礎(chǔ)。雖然CIE 127－1997 測(cè)試方法 并非國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，但它容易實(shí)施準(zhǔn)確測(cè)試比對(duì)，目前世界上主要企業(yè)都已采用。 但是隨著技術(shù)的快速發(fā)展，許多新的 LED技術(shù)特性 CIE127-1997 LED測(cè)試方法 沒(méi)有涉及。

目前，隨著半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，發(fā)達(dá)國(guó)家非常重視 LED測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的制訂。如美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)研究所（NIST）正在開(kāi)展LED測(cè)試方法的研究，準(zhǔn)備建立整套的LED測(cè)試方法和標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，許多國(guó)外大公司的研究和開(kāi)發(fā)人員正在積極參與國(guó)家和國(guó)際專(zhuān)業(yè)化組織，制訂半導(dǎo)體照明測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。如2002年10月28日，美國(guó)Lumileds公司和日本Nichia宣布雙方進(jìn)行各自LED技術(shù)的交叉授權(quán)，并準(zhǔn)備聯(lián)合制訂功率型LED標(biāo)準(zhǔn)，以推動(dòng)市場(chǎng)應(yīng)用。

2. 國(guó)內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)狀
從八十年代初起，我國(guó)相繼制定了一些與發(fā)光二極管相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。 國(guó)內(nèi)現(xiàn)有與 LED測(cè)試有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)有：

(1) Sj2353.3-83半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法

(2) Sj2658－86 半導(dǎo)體紅外發(fā)光二極管測(cè)試方法

(3) GB/T12561—1990發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

(4) GB/T15651－1995半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路：光電子器件（國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)）

(5) GB/T18904.3—2002半導(dǎo)體器件12-3:光電子器件顯示用發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范（采用IEC60747-12-3:1998）

(6) 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第 5 － 2 部分：光電子器件基本額定值和特性（國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)；制訂中）

(7) 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第 5 － 3 部分：光電子器件測(cè)試方法（國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)；制訂中）

(8) 半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法（中國(guó)光協(xié)光電器件分會(huì)標(biāo)準(zhǔn)； 2002）