最近傳出Apple watch第三代要用Micro-LED和蘋果臺(tái)灣龍?zhí)痘氐钠毓庑侣劊孧icro-LED關(guān)注度再次升溫，行業(yè)內(nèi)開始預(yù)測(cè)MicroLED產(chǎn)業(yè)化要提前到來(lái),說(shuō)OLED還沒(méi)轉(zhuǎn)身就被打個(gè)措手不及。今天就來(lái)跟大家分析一下目前我們應(yīng)該怎么看Micro-LED的發(fā)展現(xiàn)狀。

　　盡管Micro-LED已經(jīng)受全球大企業(yè)青睞，并開始大舉進(jìn)軍，該技術(shù)在規(guī)格上也較LCD具有多重好處，甚至畫質(zhì)上可與OLED相媲美，但是現(xiàn)階段該技術(shù)的發(fā)展并不是跟新聞炒作那般，而是困難重重。

　　作為一個(gè)從事LED行業(yè)的老兵，今天關(guān)于Micro-LED從LED人的角度來(lái)看，它究竟離我們有多遠(yuǎn)?

　　第一、倒裝LED芯片自身路還未走好

　　對(duì)于Micro-LED來(lái)說(shuō)，更適合采用倒裝LED,因?yàn)榈寡bLED不需要金屬導(dǎo)線、可縮減LED芯片彼此間的間隙，所以更滿足Micro-LED顯示體積小，易制成微型化需求。

　　但是目前主流的照明顯示LED領(lǐng)域，倒裝芯片還存在著工藝、良率、成本等瓶頸問(wèn)題，在傳統(tǒng)LED行業(yè)使用的比例都還處在一個(gè)市占率相對(duì)薄弱的階段。當(dāng)然倒裝LED在LED行業(yè)的使用規(guī)模增長(zhǎng)卻是越來(lái)越大，參與的企業(yè)越來(lái)越大，只是時(shí)間早晚的事，但是從倒裝LED到倒裝MicroLED還有一段距離要走。

　　第二、LED固晶良率控制難

　　以目前已成熟的LED燈條制程為例，在制作一LED燈條尚有壞點(diǎn)等失敗問(wèn)題發(fā)生，何況是一片顯示器上要嵌入數(shù)百萬(wàn)顆微型LED。而LCD與OLED已采批次作業(yè)，良率表現(xiàn)相對(duì)較佳。

　　第三、LED規(guī)模化轉(zhuǎn)移上

　　未來(lái)MicroLED 顯示困難處在于嵌入LED制程不易采大批量的作業(yè)方式，尤其是RGB 的3色LED較單色難度更高。但是未來(lái)隨著LED黏著、印刷等技術(shù)方法的提升，則有利于Micro LED 顯示導(dǎo)入量產(chǎn)化階段。

　　第四、全彩化

　　目前Micro-LED彩色化實(shí)現(xiàn)的方法主要是RGB三色LED法、UV/藍(lán)光LED+發(fā)光介質(zhì)法和光學(xué)透鏡合成法。

　　RGB-LED全彩顯示就是RGB三原色經(jīng)過(guò)一定的配比合成實(shí)現(xiàn)彩色化，這是目前LED大屏幕所普遍采用的方法，而這個(gè)最有可能就是Sony的CLEDIS的方案。而被認(rèn)為最佳的UV/藍(lán)光LED+發(fā)光介質(zhì)法，問(wèn)題更多。

　　首先LED上，如果采用UV LED，大家都知道目前UV LED的發(fā)光效率很低，產(chǎn)品的良率成本都是問(wèn)題，所以在線君認(rèn)為這個(gè)方案實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化周期更長(zhǎng)，更不用說(shuō)再加上量子點(diǎn)。

　　所以比較看好基于藍(lán)光的量子點(diǎn)方案，雖然目前量子點(diǎn)還處于一個(gè)初級(jí)階段，但是目前參與量子點(diǎn)的企業(yè)投資越來(lái)越多，而且藍(lán)光LED的技術(shù)已經(jīng)很成熟，現(xiàn)在需要克服的就是如何做小。第三種光學(xué)透鏡合成法，個(gè)人認(rèn)為主要是在投影上的應(yīng)用。

　　除此之外，還有個(gè)色彩轉(zhuǎn)換技術(shù)，個(gè)人對(duì)于Micro-LED微型顯示通過(guò)對(duì)單色LED的色彩轉(zhuǎn)換方法更值得可期，因?yàn)閱紊^RGB要容易得多了。

　　第五、波長(zhǎng)一致性、分bin成本問(wèn)題

　　單色Micro-LED陣列通過(guò)倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動(dòng)IC貼合就可以實(shí)現(xiàn)，但RGB陣列需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍(lán)、綠三色的晶粒，需要嵌入幾十萬(wàn)顆LED晶粒,對(duì)于波長(zhǎng)的一致性要求更高，同時(shí)分bin的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。

　　第六、電流擁擠、熱堆積等問(wèn)題

　　Micro-LED(<50微米(μm))不同于一般尺寸(>100μm)LED的特性。一般尺寸LED幾乎沒(méi)有電流擁擠、熱堆積等問(wèn)題，且因晶格應(yīng)力釋放及較大出光表面而可能有較佳的效率等優(yōu)勢(shì)。但是較大表面積的Micro-LED可能因表面缺陷多而有較大的漏電路徑，微小電極提高串聯(lián)電阻值，都會(huì)影響發(fā)光效率。

　　第七、成本高

　　原因之一在于LED芯片封裝，現(xiàn)有LED顯示器一般要準(zhǔn)備RGB各色LED芯片，然后把這些芯片整合在一個(gè)封裝中，將形成的LED作為1個(gè)像素使用。因此需要分別制造RGB各色LED芯片，并將其安裝在一個(gè)封裝內(nèi)，造成成本較高。

　　而Sony方面沒(méi)有透露這方面的詳細(xì)情況，但據(jù)其資料顯示很有可能就是這種技術(shù)，成本很高，盡管新一代的產(chǎn)品降低了PPI但是仍然很高。除此之外，還有很多高成本的環(huán)節(jié)，像綁定、封裝、轉(zhuǎn)移、測(cè)試及設(shè)備等等。

　　結(jié)語(yǔ)：

　　總之，Micro-LED風(fēng)雖然很大，技術(shù)也很有前景，但是落地并沒(méi)那么快。不管是最近傳出的蘋果第三代watch會(huì)采用，還是Sony的小間距Micro-LED顯示屏，這些目前都只是樣品，至少?zèng)]有大規(guī)模應(yīng)用。

　　而且目前OLED的技術(shù)升級(jí)很快，優(yōu)勢(shì)越來(lái)越明顯，技術(shù)也越來(lái)越成熟，加上布局產(chǎn)線居多，一旦良率提升，價(jià)格會(huì)直線下降，單就這一點(diǎn)來(lái)說(shuō)， Micro-LED還需要很長(zhǎng)一段路要走。