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micro led技術(shù)原理及簡(jiǎn)介(micro led功能特性和優(yōu)勢(shì)及發(fā)展前景)

來(lái)源:數(shù)字音視工程網(wǎng)        編輯:小月亮    2018-03-22 19:49:38     加入收藏

MicroLED是新一代顯示技術(shù),比現(xiàn)有的OLED技術(shù)亮度更高、發(fā)光效率更好、但功耗更低。2017年5月,蘋果已經(jīng)開始新一代顯示技術(shù)的開發(fā)。2018年2月,三星在CES2018上推出了MicroLED電視。

  Micro LED簡(jiǎn)介

  MicroLED是新一代顯示技術(shù),比現(xiàn)有的OLED技術(shù)亮度更高、發(fā)光效率更好、但功耗更低。2017年5月,蘋果已經(jīng)開始新一代顯示技術(shù)的開發(fā)。2018年2月,三星在CES2018上推出了MicroLED電視。

  Micro LED功能特性

  microLED比現(xiàn)有的OLED技術(shù)亮度更高、發(fā)光效率更好、但功耗更低。microLED出色的特性將使得它可以在電視、iPhone、iPad上應(yīng)用。

  Micro LED歷史

  說(shuō)起Micro LED,先得從顯示TFT-LCD背光模組應(yīng)用說(shuō)起。在1990年代TFT-LCD開始蓬勃發(fā)展時(shí),因LED具有高色彩飽和度、省電、輕薄等特點(diǎn),部分廠商就利用LED做背光源。然而因成本過(guò)高、散熱不佳、光電效率低等因素,并未大量應(yīng)用于TFT-LCD產(chǎn)品中。

  直到2000年,藍(lán)光LED芯片刺激熒光粉制成白光LED技術(shù)的制程、效能、成本開始逐漸成熟;當(dāng)進(jìn)入2008年,白光LED背光模組呈現(xiàn)爆發(fā)性的成長(zhǎng),幾年間幾乎全面取代了CCFL,其應(yīng)用領(lǐng)域由手機(jī)、平板電腦、筆電、臺(tái)式顯示器 乃至電視等等。

  然而,因TFT-LCD非自發(fā)光的顯示原理所致,其open cell穿透率約在7%以下,造成TFT-LCD的光電效率低落;且白光LED所能提供的色飽和度仍不如三原色LED,大部分TFT-LCD產(chǎn)品約僅72%NTSC;再則,于室外環(huán)境下,TFT-LCD亮度無(wú)法提升至1000nits以上,致使影像和色彩辨識(shí)度低,為其一大應(yīng)用缺陷。故另一種直接利用三原色LED做為自發(fā)光顯示點(diǎn)畫素的LED Display或Micro LED Display的技術(shù)也正在發(fā)展中。

  micro led技術(shù)原理

  MicroLEDDisplay的顯示原理,是將LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行薄膜化、微小化、陣列化,其尺寸僅在1~10μm等級(jí)左右;后將MicroLED批量式轉(zhuǎn)移至電路基板上,其基板可為硬性、軟性之透明、不透明基板上;再利用物理沉積制程完成保護(hù)層與上電極,即可進(jìn)行上基板的封裝,完成一結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的MicroLED顯示。

  而要制成顯示器 ,其晶片表面必須制作成如同LED顯示器 般之陣列結(jié)構(gòu),且每一個(gè)點(diǎn)畫素必須可定址控制、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮。若透過(guò)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體電路驅(qū)動(dòng)則為主動(dòng)定址驅(qū)動(dòng)架構(gòu),MicroLED陣列晶片與CMOS間可透過(guò)封裝技術(shù)。

  黏貼完成后MicroLED能藉由整合微透鏡陣列,提高亮度及對(duì)比度。MicroLED陣列經(jīng)由垂直交錯(cuò)的正、負(fù)柵狀電極連結(jié)每一顆MicroLED的正、負(fù)極,透過(guò)電極線的依序通電,透過(guò)掃描方式點(diǎn)亮MicroLED以顯示影像。

  MicroLED典型結(jié)構(gòu)是一PN接面二極管,由直接能隙半導(dǎo)體材料構(gòu)成。當(dāng)對(duì)MicroLED上下電極施加一正向偏壓,致使電流通過(guò)時(shí),電子、空穴對(duì)于主動(dòng)區(qū)復(fù)合,發(fā)射出單一色光。MicroLED光譜主波長(zhǎng)的FWHM約20nm,可提供極高的色飽和度,通常可》120%NTSC。

  而且自2008年以后,LED光電轉(zhuǎn)換效率得到了大幅提高,100lm/W以上已成量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。因此對(duì)于MicroLED顯示的應(yīng)用,因其自發(fā)光的顯示特性,搭配幾乎無(wú)光耗元件的簡(jiǎn)易結(jié)構(gòu),就可輕易實(shí)現(xiàn)低能耗或高亮度的顯示器 設(shè)計(jì)。

  這樣可解決目前顯示器 應(yīng)用的兩大問(wèn)題,一是穿戴型裝置、手機(jī)、平板等設(shè)備的80%以上的能耗在于顯示器 上,低能耗的顯示器 技術(shù)可提供更長(zhǎng)的電池續(xù)航力;二是環(huán)境光較強(qiáng)致使顯示器 上的影像泛白、辨識(shí)度變差的問(wèn)題,高亮度的顯示技術(shù)可使其應(yīng)用的范疇更加寬廣。

  Micro LED優(yōu)勢(shì)

  高亮度、低功耗、超高解析度與色彩飽和度。MicrolED最大的優(yōu)勢(shì)都來(lái)自于它最大的特點(diǎn),微米等級(jí)的間距,每一點(diǎn)畫素(pixel)都能定址控制及單點(diǎn)驅(qū)動(dòng)發(fā)光。比起其他LED,發(fā)光效率上,目前MICROLED最高,且還在大幅提升空間;發(fā)光能量密度上,MICROLED最高,且還有提升空間。——前者,有利于顯示設(shè)備的節(jié)能,其功率消耗量約為L(zhǎng)CD的10%、OLED的50%;后者則可以節(jié)約顯示設(shè)備有限的表面積,并部署更多的傳感器,目前的理論結(jié)果是,MICROLED和OLEDD比較,達(dá)到同等顯示器 亮度,只需要后者10%左右的涂覆面積。與同樣是自發(fā)光顯示的OLED相較之下,亮度比其高30倍,且分辨率可達(dá)1500PPI(像素密度),相當(dāng)于AppleWatch采用OLED面板達(dá)到300PPI的5倍之多。

  壽命長(zhǎng)。由于Micro-LED使用無(wú)機(jī)材料,且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)易,幾乎無(wú)光耗,它的使用壽命非常長(zhǎng)。這一點(diǎn)是OLED無(wú)法相比的,OLED作為有機(jī)材料、有機(jī)物質(zhì),有其固有缺陷——即壽命和穩(wěn)定性,難以媲美無(wú)機(jī)材料的QLED和MICROLED。

  能夠適應(yīng)各種尺寸。

  成本降低空間大。目前微投影技術(shù)以數(shù)位光線處理(DigitalLightProcessing,DLP)、反射式硅基板液晶顯示(LiquidCrystalonSilicon,LCoS)、微機(jī)電系統(tǒng)掃描(MEMSScanning)叁種技術(shù)為主,但這叁種技術(shù)都須使用外加光源,使得模組體積不易進(jìn)一步縮小,成本也較高。相較之下,採(cǎi)用自發(fā)光的MicroLED微顯示器 ,不須外加光源,光學(xué)系統(tǒng)較簡(jiǎn)單,因此在模組體積的微型化及成本降低上具優(yōu)勢(shì).

  應(yīng)用范疇廣。MicroLED解決了幾大問(wèn)題,一個(gè)是消費(fèi)型平板包括智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備80%的能耗都在顯示器 上,低能耗的MicroLED顯示器 將大大延長(zhǎng)電池續(xù)航能力,對(duì)于MicroLED顯示的應(yīng)用,因其自發(fā)光的顯示特性,搭配幾乎無(wú)光耗元件的簡(jiǎn)易結(jié)構(gòu),就可輕易實(shí)現(xiàn)低能耗或高亮度的顯示器 設(shè)計(jì)。二是環(huán)境光較強(qiáng)致使顯示器 上的影像泛白、辨識(shí)度變差的問(wèn)題,MicroLED高亮度的顯示技術(shù)可以輕松解決這個(gè)問(wèn)題,使其應(yīng)用的范疇更加寬廣。

  Micro LED產(chǎn)業(yè)鏈如何

  對(duì)于一個(gè)MicroLED顯示產(chǎn)品,他的基本構(gòu)成是TFT基板、超微LED晶粒、驅(qū)動(dòng)IC三大塊。這三者有一個(gè)共同的特點(diǎn),即大量繼承于已有的液晶和LED產(chǎn)業(yè)。因此,臺(tái)灣工研院認(rèn)為,他們具有整條產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢(shì)。

  但是,具有同樣產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的地區(qū)還包括韓國(guó)、我國(guó)大陸、日本。其中日本在上游材料和設(shè)備上的領(lǐng)先性和完善度,要遠(yuǎn)超過(guò)我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。不過(guò),日本同仁對(duì)MicroLED的興趣可沒有臺(tái)系產(chǎn)業(yè)那么高漲。

  為什么其它具有相當(dāng)或者更好產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的地區(qū),在MicroLED的熱情上低于臺(tái)系呢?答案分成兩個(gè)層次:第一是,大陸、韓國(guó)和日本顯示企業(yè),現(xiàn)在最忙的事情是OLED。第二,MicroLED有一個(gè)其他電子行業(yè)幾乎不會(huì)用到的高難度工藝——巨量微轉(zhuǎn)移(也叫巨量轉(zhuǎn)移)。臺(tái)灣MicroLED產(chǎn)業(yè)最大的動(dòng)作之一,即是2016年12月以臺(tái)灣工研院為牽頭單位,成立“巨量微轉(zhuǎn)移”產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。

  “巨量轉(zhuǎn)移”是一個(gè)什么技術(shù)呢?簡(jiǎn)單說(shuō)就是在指甲蓋大小的TFT電路基板上,按照光學(xué)和電氣學(xué)的必要規(guī)范,均勻焊接三五百,甚至更多個(gè)紅綠藍(lán)三原色LED微小晶粒,且允許的工藝失敗率是有幾十萬(wàn)分之一。——只有達(dá)到這樣工藝的產(chǎn)品,才能真正應(yīng)用到AppleWatch3等產(chǎn)品上。

  對(duì)于MicroLED的工藝問(wèn)題,很多人認(rèn)為,可以從傳統(tǒng)LED屏中攝取經(jīng)驗(yàn)。但是,MicroLED與傳統(tǒng)led顯示產(chǎn)品差別巨大。與傳統(tǒng)LED顯示屏比較,MicroLED的差別主要在于:1.精密程度數(shù)十倍的提升;2.集成工藝從直插、表貼、COB封裝等變成了“巨量微轉(zhuǎn)移”;3.缺陷可修復(fù)性幾乎為零;4.背板從印刷電路板,變成了液晶和OLED顯示所使用的TFT基板,或者CPU與內(nèi)存所采用的單晶硅基板。

  即與傳統(tǒng)LED顯示屏比較,MicroLED在晶粒、封裝、集成工藝、背板、驅(qū)動(dòng)等每一個(gè)方面都不一樣——所以,可以看到MicroLED產(chǎn)品的火熱沒有得到任何一個(gè)傳統(tǒng)LED大屏廠商的表態(tài)。

  事實(shí)上,除了晶粒、TFT背板、IC這些“元組建”,繼承于LED晶粒(如三安)、半導(dǎo)體顯示(如京東方)、IC設(shè)計(jì)企業(yè)(如聚積、奇景)等之外,MicroLED正真的核心則是“如何將這些元件集成”,即“巨量轉(zhuǎn)移”技術(shù)。后者是整個(gè)行業(yè)的命門。如果有企業(yè)要牽頭MicroLED產(chǎn)品,最需要的即是從這里入手。

  對(duì)此,目前比較確切的消息是:今年2月份MikroMesa與重慶惠科攜手打造了兩岸首座MicroLED面板實(shí)驗(yàn)室的合作。該實(shí)驗(yàn)室計(jì)劃在今年底完工,2018年制造出全彩色MicroLED樣品。MikroMesa目前在LED微晶粒上具有領(lǐng)先的研發(fā)技術(shù),傳聞能做到3UM?;菘苿t建設(shè)有A-SILCD生產(chǎn)線,具有TFT背板等方面的技術(shù)資源。二者合作的目的是,利用近可能現(xiàn)成的資源突破“巨量轉(zhuǎn)移”技術(shù)。

  不過(guò),即便是這種比較深入的項(xiàng)目其對(duì)MicroLED的產(chǎn)業(yè)時(shí)間表預(yù)期亦不能樂(lè)觀:2018年實(shí)現(xiàn)全彩樣品,距離真實(shí)商業(yè)應(yīng)用還有多遠(yuǎn)依然不好說(shuō)。以O(shè)LED為例,實(shí)現(xiàn)全彩,到目前手機(jī)行業(yè)的大規(guī)模認(rèn)可,中間走了二十余年。且,惠科、MikroMesa都是顯示圈新手,二者關(guān)注MicroLED頗有企圖“四兩撥千斤”彎道超車之意。

  綜上所述,從元件角度看,MicroLED在TFT、IC、LED晶粒上都不具有難度;但是從工藝和產(chǎn)業(yè)進(jìn)程看,巨量轉(zhuǎn)移橫亙?cè)贛icroLED愿景與現(xiàn)實(shí)之間,短期難以徹底跨越。

  Micro LED應(yīng)用前景廣泛

  目前如果考慮現(xiàn)有技術(shù)能力,Micro-LED有兩大應(yīng)用方向,一是可穿戴市場(chǎng),以蘋果為代表,據(jù)傳蘋果將在新一代的蘋果手表和iPhone上使用Micro-LED技術(shù),并且有望在2018年推出Micro LED穿戴設(shè)備。;二是超大尺寸電視市場(chǎng),以Sony為代表,今年,索尼在CES上展示的Micro-LED cledis已在分辨率、亮度、對(duì)比度都具有優(yōu)良的性能。

  從短期來(lái)看Micro-LED市場(chǎng)集中在超小型顯示器 ,從中長(zhǎng)期來(lái)看,Micro-LED的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,橫跨穿戴式設(shè)備、超大室內(nèi)顯示屏幕外,頭戴式顯示器 (HUD)、抬頭顯示器 (HUD)、車尾燈、無(wú)線光通訊Li-Fi、AR/VR、投影機(jī)等多個(gè)領(lǐng)域。

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