新突破!國星光電成功點亮Micro LED新品nStar Ⅲ
來源:國星光電 編輯:ZZZ 2023-12-06 08:53:09 加入收藏
背景概述
“十四五”開局之始,各地方政府積極把握新時期經濟社會發(fā)展戰(zhàn)略方向,構建新發(fā)展格局。廣東省率先發(fā)布《廣東省制造業(yè)高質量發(fā)展“十四五“規(guī)劃》,將“超高清視頻顯示”納入十大戰(zhàn)略性支柱產業(yè),推動超高清終端向規(guī)模化、產業(yè)化、高端化發(fā)展。在該背景下,國星光電前瞻布局戰(zhàn)略新興產業(yè),牽頭承擔的Micro LED全彩顯示屏研發(fā)項目分別獲批國家重點研發(fā)計劃、廣東省重點領域研發(fā)計劃等科研項目。基于自主搭建的Micro LED創(chuàng)新研發(fā)平臺,國星光電全力推進Micro LED新型顯示項目開發(fā),按下關鍵技術攻堅進程的“加速鍵”。
近日,國星光電Micro LED超高清顯示研發(fā)項目迎來關鍵里程碑式進展,成功點亮1.84英寸Micro LED全彩顯示屏——nStar Ⅲ ,該屏采用LTPS-TFT玻璃基驅動背板,像素間距縮小到0.078mm,分辨率360*480,采用全倒裝無襯底LED像素發(fā)光單元,可實現屏幕峰值亮度>1500nits,強光照射下仍可保持高清顯示畫面,相關技術成果未來有望在Micro LED手表等智能穿戴產品領域廣泛應用。
國星光電 nStar Ⅲ技術優(yōu)勢:
▌高精度轉移
采用國星光電自主研發(fā)的巨量轉移技術路線,實現>50多萬顆Micro LED芯片高密度集成,R/G/B三色芯片落位精度<2um,轉移良率>99.9%。此外,國星Micro LED研發(fā)平臺未來還可支持12寸以內基板上芯片多次拼接鍵合。
▌高集成封裝
采用國星光電自主研發(fā)的Micro LED玻璃基封裝專利技術,外形厚度更薄,平整度更高,可兼顧散熱與顯示一致性。
至此,國星光電已實現像素間距從P0.X至P0.0X等多樣化場景應用的“未來國星屏”矩陣。接下來,公司將繼續(xù)深耕Micro LED微顯示賽道,開發(fā)硅基AR顯示技術,打造更全面、更多元化的Micro LED應用領域布局,同時建立產品、技術及解決方案多元化平臺體系,期待與客戶聯合創(chuàng)新,推進新產品、新技術的商業(yè)化應用,合力構筑更美好的未來視界。
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