1. 為什么巨量轉(zhuǎn)移的檢測是關(guān)鍵步驟？

　　巨量轉(zhuǎn)移檢測是確保屏體質(zhì)量的關(guān)鍵步驟，旨在識別并精確定位制程中的壞點，然后將這些坐標輸出給修復工藝，以提高屏體的點亮良率和畫質(zhì)。目前，檢測方式主要包括外觀檢測、光學檢測和電學檢測，分別在Wafer端、制程端和屏體端進行，以實現(xiàn)對過程不良的精準檢測。此外，為了應對Micro-LED芯片光學均一性不足的問題，辰顯光電采用了混bin技術(shù)，通過光學和電學檢測對Micro-LED來料進行精確分類，從而提升顯示效果。

　　2. 目前行業(yè)在巨量轉(zhuǎn)移檢測中面臨哪些主要挑戰(zhàn)？

　　隨著Micro-LED芯片的微縮化，傳統(tǒng)檢測方案和設(shè)備難以滿足需求。首先，電學檢測面臨的挑戰(zhàn)在于每個顯示器需檢測的LED數(shù)量達到數(shù)十萬乃至上千萬顆，受限于Micro-LED 芯片一般小于50μm，現(xiàn)有檢測效率還處在1～2秒的階段，還無法滿足 LED全檢要求。其次，檢測精度要求極高，Micro-LED制程中對于精度的要求一般在2μm以內(nèi)，高PPI產(chǎn)品甚至需要1μm以內(nèi)的精度。這對于 Micro-LED 芯片從晶圓到中間臨時基板再到背板的各個環(huán)節(jié)的精度檢測提出了極高要求，必須結(jié)合智能算法和高精度數(shù)據(jù)采集硬件才能達成。

　　3. 辰顯光電如何構(gòu)建高效的巨量轉(zhuǎn)移檢測流程？

　　辰顯光電在巨量轉(zhuǎn)移工藝中布置了多個檢測站點，以提高一次轉(zhuǎn)移良率和精準修復能力。首先，Micro-LED Wafer來料時會進行外觀(AOI)、光學(PL)和電學(EL)檢測，確保 Micro-LED 的來料良率和光電信息，集中修復不良點位。在轉(zhuǎn)移制程中，通過AOI檢測確定制程中的不良因素，如缺失、偏位等，進行及時修復。最后，針對鍵合后的屏體進行CT檢測，檢查屏體光學品質(zhì)，包括亮暗點、異常顯示、亮度和波長一致性等，并將檢測出的壞點坐標輸出給下一站點修復。最終通過層層檢測和修復，辰顯光電能夠生產(chǎn)出高畫質(zhì)、零暗點的屏體。

　　4. 辰顯光電采用了哪些國內(nèi)首臺設(shè)備或技術(shù)進行檢測？

　　辰顯光電十分重視與國內(nèi)設(shè)備廠商密切合作，在Micro-LED產(chǎn)業(yè)化初期即引入了多項國內(nèi)先進技術(shù)和設(shè)備，特別是在檢測方面，涵蓋了AOI、PL、CT等關(guān)鍵檢測環(huán)節(jié)，確保檢測流程的高效性和準確性。由于Micro-LED是新興技術(shù)，隨著對技術(shù)和工藝要求的不斷提升，辰顯光電與設(shè)備廠商共同推進設(shè)備與技術(shù)的迭代，合作開發(fā)出了多個國內(nèi)首臺套設(shè)備，進一步推動了Micro-LED產(chǎn)業(yè)化進程。